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HSS6107
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.7A
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- 描述
- 是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。100%保证EAS，有绿色器件可选，具有超低栅极电荷，能出色降低CdV/dt效应，采用先进的高单元密度沟槽技术。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSS6107
- 商品编号
- C508450
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 531pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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