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WSD40120DN56G

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4mΩ@10V,20A
功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.972nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)82pF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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