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WSD40120DN56G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSD40120DN56G

1个N沟道 耐压:40V 电流:120A

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描述
使用先进的SOCT MOSFET技术,提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。本器件经过专门设计,具有更好的耐用性。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSD40120DN56G
商品编号
C507088
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.249克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))1.8mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)3.972nF@20V
反向传输电容(Crss)82pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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