1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 30+: ¥3.834 ¥4.26
- 100+: ¥3.438 ¥3.82
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¥3.213 ¥3.57 (折合1圆盘17850元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
功率(Pd) | 125W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4mΩ@10V,20A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 45nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.972nF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 82pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |