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TSK60N50M
N沟道 500V 60A
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- 描述
- TO-247，N沟道，60N50，500V，60A，0.095Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK60N50M
- 商品编号
- C49438116
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 193nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.592nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 728pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- 60A、500V,最大RDS(on)=0.095Ω
- 漏源击穿电压:BVDSS=500V(最小值)
- 低漏源导通电阻:RDS(on)=122mΩ(最大值)
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件
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