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SI2308-TWGMC
N沟道增强型MOSFET，60V，4.0A
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- 描述
- 1个N沟道 漏源电压60V 连续漏极电流4A 导通电阻60mΩ@10V
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- SI2308-TWGMC
- 商品编号
- C49438148
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -50℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有绿色环保器件可选
应用领域
- 电机驱动
- 电动工具
- LED照明