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SI2301T-TWGMC
P沟道 20V 660mA
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- 描述
- 1个P沟道 漏源电：20V 连续漏极电流：2.1A 导通电阻120mΩ@4.5V
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- SI2301T-TWGMC
- 商品编号
- C49438147
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品特性
- 表面贴装封装
- 具有低导通电阻RDS(on)的P沟道开关
- 采用低逻辑电平栅极驱动操作
- 具备静电放电保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
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