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SI2301
P沟道 电流:3A 耐压:20V
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- 描述
- 适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- SI2301
- 商品编号
- C49438126
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 503pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
SI2301是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 漏源电压（V_DSS）为 -20 V
- 漏极电流（I_D）为 -3 A
- 导通电阻（RDS(ON)）为55 mΩ