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IRFD014PBF
耐压:60V 电流:1.7A
- 描述
- 第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式外壳样式，可以在标准0.1英寸引脚中心以多种组合方式堆叠。双漏极作为与安装表面的热连接，用于高达1W的功率耗散水平。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFD014PBF
- 商品编号
- C506428
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式，可在标准0.1英寸引脚中心上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装表面的热连接，功率耗散水平可达1 W。
商品特性
- 动态dv/dt额定值
- 适用于自动插入
- 端部可堆叠
- 工作温度达175 °C
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC