温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PTQ2025D
20V/25A双N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低导通电阻和低传导损耗。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。 电机控制和驱动
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTQ2025D
- 商品编号
- C49384053
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10272克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@2.5V；5.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 274pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |