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PGQ04N070
40V/50A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：快速开关能力。 稳健设计，具有更好的EAS性能。 超低导通电阻。应用：电池管理系统。 电机驱动器
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PGQ04N070
- 商品编号
- C49384056
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10368克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@4.5V；5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 863pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 309pF |