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PGN10N052
100V/110A N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。 电机控制和驱动
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PGN10N052
- 商品编号
- C49384064
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.97nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 642pF |