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PTQ10HN03B
30V/100A N沟道高级功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻和低传导损耗。100%雪崩测试。应用：高端负载开关。电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTQ10HN03B
- 商品编号
- C49384054
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V；4.5mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 278pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |