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XR8G02S
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
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- 描述
- 高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS标准。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR8G02S
- 商品编号
- C49375030
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@4.5V；15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF；700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF；114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF；132pF |
商品概述
XR8G02S是一款高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术