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HX7392-P
高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器
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- 描述
- PBF是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LUTTc输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达500V或600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
- 品牌名称
- ZHHXDZ(海芯电子)
- 商品型号
- HX7392-P
- 商品编号
- C49339811
- 商品封装
- DIP-14
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.7052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 17ns | |
| 传播延迟 tpLH | 120ns | |
| 传播延迟 tpHL | 94ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 15uA | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护 |
商品概述
HX7392-S/HX7392-P 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其采用专有的高压集成电路和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电平可低至 3.3V。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，以简化在高频应用中的使用。浮置通道可用于驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 500V 或 600V。
商品特性
- 浮置通道专为自举操作设计
- 完全工作电压可达 +500V 或 +600V
- 耐受负瞬态电压，对 dV/dt 效应免疫
- 栅极驱动电源电压范围从 10V 到 20V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 兼容 3.3V 逻辑电平
- 独立的逻辑电源电压范围从 3.3V 到 20V
- 逻辑地与功率地之间具有 ±5V 的偏移容限
- 带下拉电阻的 CMOS 施密特触发输入
- 支持逐周期边沿触发的关断逻辑
- 双通道匹配的传播延迟
- 输出与输入同相