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VM6503
65V N 沟道 MOSFET
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- 描述
- 65V N 沟道 MOSFET
- 品牌名称
- VIVA(昱盛)
- 商品型号
- VM6503
- 商品编号
- C49328870
- 商品封装
- PPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@4.5V；2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 65V、120A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 3.5mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 网络-负载开关-LED应用