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XRS40P06D

P沟道 60V 40A

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描述
特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低导通电阻的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS40P06D
商品编号
C49328949
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0673克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))16.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)114W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)248pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9

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