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XR20G10
N沟道+P沟道 100V 10A
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- 描述
- 是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR20G10
- 商品编号
- C49328946
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5894克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V；100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V；65mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V；19nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF；1.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF；29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF；53pF |
商品概述
XR20G10是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR20G10符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术