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RSE80R180F
N沟道 800V 25A
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- 描述
- 特性：出色的静电放电（ESD）鲁棒性。 出色的高换向耐用性。 每芯片面积低导通电阻（RDS(on)）（低品质因数）。 低栅极电荷。应用：LED照明。 电信
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RSE80R180F
- 商品编号
- C49317658
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 出色的静电放电（ESD）耐受性
- 出色的高换向耐用性
- 单位芯片面积的导通电阻RDS(on)低（品质因数FOM低）
- 栅极电荷低
应用领域
- LED照明
- 电信
- 不间断电源（UPS）
- 开关模式电源（SMPS）