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RS65R190BD

超结MOSFET,适用于开关电源、不间断电源等,具备快速开关速度、通过100%雪崩测试、改善dv/dt能力

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描述
超结MOS,LED驱动,适配器,基站电源,电瓶车充电器,电瓶车换电柜,PC电源
商品型号
RS65R190BD
商品编号
C49317662
商品封装
PTO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.613822克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.49nF
反向传输电容(Crss)2.3pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)101pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 快速开关速度
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)
  • 功率因数校正 (PFC)
  • 交流-直流开关电源

数据手册PDF