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RS20N65BF
N沟道 650V 20A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 低Ciss。 快速开关。应用：LED电源。 手机充电器
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS20N65BF
- 商品编号
- C49317673
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.385nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 237pF |
商品特性
~~- 低栅极电荷-低输入电容(Ciss)-快速开关
应用领域
- LED电源-手机充电器-备用电源