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RS50R090F
超结MOSFET，具备快速开关速度、改进的dv/dt能力
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- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS50R090F
- 商品编号
- C49317654
- 商品封装
- T0-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.982克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 快速开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 结温最大值时的漏源电压(VDS@Tjmax)700V
应用领域
- 电视和电脑电源
- 适配器和照明
- 电信和不间断电源(UPS)