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JSM816D
由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦器件，可实现电气隔离和信号传输，适用于电源设备
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- 描述
- JSM816D产品由一个红外发光二极管和一个光电晶体管组成；光耦器件可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，产品广泛应用于电源设备上，例如手机充电器，家电产品电源供应器等。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM816D
- 商品编号
- C49242121
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV@20mA,1mA | |
| 上升时间(tr) | 4us | |
| 下降时间 | 3us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 50% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 600% | |
| 正向电流(If) | 50mA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
由红外发光二极管和光电晶体管组成；可实现不同电路之间的电气隔离和信号传输，广泛应用于电源设备。
商品特性
- 电流转换比为50%~600%
- 输入与输出之间的隔离电压高达5000Vrms
- 爬电距离大于7.62mm
- 工作温度最高可达+110°C
- 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥80V
应用领域
- 手机充电器
- 家电产品电源供应器
- 2SK1317-E-HXY
- 2SK1835-E-HXY
- STFW4N150-HXY
- STFW3N150-HXY
- 2SK3747-1E-HXY
- IXTH4N150-HXY
- NDUL03N150CG-HXY
- IXTJ4N150-HXY
- 2SK3748-HXY
- SN74HC595N(XBLW)
- XBL1117-5.0/STR
- XBL1117-3.3/STR
- XBL1117-ADJ
- L78M05DTR(XBLW)
- SN74HC08DTR(XBLW)
- SN74HC02DTR(XBLW)
- SN74LVC2G17T236(XBLW)
- ACS712FBCTR-50A-T(XBLW)
- ACS712FBCTR-40A-T(XBLW)
- XCP82C55AZ
- MPF52000GRE-0001-AEC2-Z