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MDD10N60F
600V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 600V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD10N60F
- 商品编号
- C49230727
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.606克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138.2pF |
商品特性
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电子镇流器
- 开关模式电源
- 不间断电源(UPS)