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MDD20N50F
500V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 500V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD20N50F
- 商品编号
- C49230729
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.728克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.078nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 263pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源