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MDD12N60F
600V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 600V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD12N60F
- 商品编号
- C49230728
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.602克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 530mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-功率因数校正-开关电源-LED 驱动器
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