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OSM2N150
OSM2N150
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- 描述
- 1500V 2A N-MOS Rdson≤13Ω@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM2N150
- 商品编号
- C49188045
- 商品封装
- TO-220-FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
OSM2N150是一款在栅源电压10V时可实现最大13 Ω导通阻抗, 2A持续电流的1500V N沟道MOS器件。 OSM2N150具有低栅极电荷,低栅极电压,和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。 OSM2N150采用TO-263和TO-220-FB封装。
商品特性
- VDS = 1500V，ID = 2A
- 在 VGS = 10V 时，RSS（导通状态）类型下的阻值≤ 13 Ω
- 具有快速开关能力
- 指定的雪崩能量
- 提高的 dv/dt 能力，高坚固性
- TO-263 和 TO-220-FB 封装
应用领域
- 电信及工业自动化中的电源管理
- 电动工具、电动汽车、机器人技术中的电机驱动
- 直流/直流及交流/直流（开关型）子系统中的电流切换
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