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OSM7N65B
高抗浪涌功率、快速开关的650V N沟道MOSFET，适用于负载开关、PWM控制
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- 描述
- 浪涌抑制型,650V 7A N-MOS Rdson≤1.3Ω@Vgs=10v
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM7N65B
- 商品编号
- C49188050
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
OSM7N65B是一款高抗浪涌功率器件,在栅源电压10V时可实现最大1.7Ω导通阻抗,7A持续电流的650V N沟道MOS器件。 OSM7N65具有低栅极电荷,低栅极电压和高电流导通能力。适用于负载开关、PWM控制等应用场景。 OSM7N65B采用TO - 263封装。
商品特性
- 压降抑制：±4KV
- 最大正向导通电压（VDS）：650V，最大正向电流（ID）：7A
- 在 VGS 为 10V，RSS（开启状态）类型下的电阻值≤1.2 欧姆
- 快速开关能力
- 指定的雪崩能量
- 提高的 dv/dt 能力，高坚固性
- TO - 263 封装
应用领域
- 电信及工业自动化中的电源管理
- 电动工具、电动汽车、机器人技术中的电机驱动
- 直流/直流及交流/直流（开关型）子系统中的电流切换