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BCBF120N40M1
BCBF120N40M1
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- 描述
- SiC MOSFET,1200V, 40mΩ@18V
- 商品型号
- BCBF120N40M1
- 商品编号
- C49164815
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ |
商品特性
- 高开关速度，具有低栅极电荷
- 快速本征二极管，反向恢复电荷低
- 强大的雪崩能力
- 100% 经过雪崩测试
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电站
- 不间断电源
- 工业电源