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BMD70N360E2
N沟道 700V 11A
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- 描述
- 超结 MOSFET,700V,11A,360mΩ@10V
- 商品型号
- BMD70N360E2
- 商品编号
- C49164818
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 801pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BMD70N360E2是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计人员带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 降低开关和传导损耗
- 降低开关噪声
- 经过100%雪崩测试
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)
- 充电器