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SI2301-TD
-20V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 开关电阻非常低，最小可达 36mΩ，能有效降低能量损耗，提高设备能效，是高功率应用的首选电子开关
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- SI2301-TD
- 商品编号
- C49023483
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0317克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@2.5V；95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
SI2301-TD 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的 RDS(ON) 和效率。JCW2301BFS 符合 RoHS 和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 Cdv/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
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