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SI2302-TD
N沟道 20V 3A
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- 描述
- 开关电阻非常低，最小可达 36mΩ，能有效降低能量损耗，提高设备能效，是高功率应用的首选电子开关
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- SI2302-TD
- 商品编号
- C49023484
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品概述
WSK40200采用先进的SGT MOSFET技术，提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于同步整流应用。
商品特性
- VDS 20V
- ID 2.3A
- RDS(ON)(在 VGS = 4.5V 时)<75毫欧
- RDS(ON)(在 VGS = 2.5V 时)<120毫欧
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理