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AO4882
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：40V/12A, RDS(ON) = 7mΩ (max.)@VGS = 10V，RDS(ON) = 10mΩ (max.)@VGS = 4.5V。 100% UIS 测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：笔记本电脑电源管理。 电池供电系统
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4882
- 商品编号
- C49020633
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.187267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V；15.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
AO4826是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 60V/8.0A，RDS(ON) = 24mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 60V/5.0A，RDS(ON) = 32mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 超导通电阻超低设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数字信号控制器
- LCD显示屏逆变器