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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO4884

双N沟道增强型MOSFET

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私有库下单最高享92折
描述
特性:40V/12A,RDS(ON) = 7mΩ (max.)@VGS = 10V,RDS(ON) = 10mΩ (max.)@VGS = 4.5V。 100% UIS 测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件(符合 RoHS 标准)。应用:笔记本电脑电源管理。 电池供电系统
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
AO4884
商品编号
C49022727
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.187567克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V;10mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)7.5nC@4.5V;15.7nC@10V
输入电容(Ciss)815pF
反向传输电容(Crss)60pF
类型N沟道
输出电容(Coss)95pF

商品特性

  • 40V/12A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) = 7 mΩ(最大值)
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 10 mΩ(最大值)
  • 100%进行UIS + Rg测试
  • 可靠且耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理
  • 电池供电系统
  • DC/DC转换器
  • 负载开关

数据手册PDF