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AO4884

双N沟道增强型MOSFET

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描述
特性：40V/12A，RDS(ON) = 7mΩ (max.)@VGS = 10V，RDS(ON) = 10mΩ (max.)@VGS = 4.5V。 100% UIS 测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合 RoHS 标准）。应用：笔记本电脑电源管理。 电池供电系统
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
AO4884
商品编号
C49022727
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.187567克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V；10mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.5nC@4.5V；15.7nC@10V
输入电容(Ciss)815pF
反向传输电容(Crss)60pF
类型N沟道
输出电容(Coss)95pF

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