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STW75N65DM6
650V高压直流-直流转换器
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- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- STW75N65DM6
- 商品编号
- C49005788
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.626667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.682nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品概述
DMTH6016LFVW-13采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 40A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- DFN3X3-8L
- N沟道MOSFET
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