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TPHR8504PL-JSM
40V SGT N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- TPHR8504PL-JSM
- 商品编号
- C49006653
- 商品封装
- DFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 245A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.15nF |
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