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AP74502QTA8-7
低静态电流反电池极性和过压保护控制器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- AP74502QTA8-7
- 商品编号
- C48984699
- 商品封装
- SOT-28
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 3.2V~80V | |
| 反向耐压 | 80V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 栅极驱动电压 | 12.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 62uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 拉电流(IOH) | 60uA | |
| 灌电流(IOL) | 2.37A |
商品概述
AP74502Q 和 AP74502HQ 是一款符合汽车 AEC-Q100 标准的反向电池极性和过压保护控制器，通过两个外部 N 沟道 MOSFET 工作。该控制器适用于 12V、24V 和 48V 汽车系统的输入保护。其低至 3.2V 的输入电压支持特别满足汽车系统中严苛的冷启动要求，最高支持电压可达 75V。当使能引脚为低电平时，控制器关闭，消耗约 1μA 电流；控制器为外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。该器件采用 SOT28 封装。
商品特性
- 输入电压范围：3.2V 至 80V（启动电压 3.9V）
- 可承受 -80V 反向电池电压
- 为外部 N 沟道功率 MOSFET 提供电荷泵驱动
- 驱动外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET
- 栅极驱动强度可选：AP74502Q 为 60μA 峰值栅极源电流，AP74502HQ 为 11mA 峰值栅极源电流
- 禁用时关断电流低至 0.9µA
- 使能时静态电流低至 62µA
- 2.3A 峰值栅极关断电流
- ESD 保护：2kV HBM 和 750V CDM
- 符合 AEC-Q100 认证，器件温度等级为 1 级（环境工作温度范围 -40°C ~ +125°C）
- 8 引脚 SOT28 封装
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和无锑的“绿色”器件
应用领域
- 汽车车身控制单元
- 汽车信息娱乐系统
- 汽车高级驾驶辅助系统
- 工业自动化电源
- 企业电源供应