温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE60NF055
N沟道 600V 51A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60NF055
- 商品编号
- C48985813
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.667723克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 378W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.836nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。
商品特性
- 优化的体二极管反向恢复性能
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷，降低驱动要求
- 100%雪崩测试
- 符合ROHS标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)-开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-LLC半桥
相似推荐
其他推荐