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NCE65NF099
N沟道 650V 36A
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- 描述
- 使用先进的沟槽栅极超结技术和设计，提供超低的RDS(ON)和低栅极电荷，并具有快速恢复体二极管。该超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换、工业电源应用、快速充电器、新能源汽车充电桩、车载OBC等AC-DC SMPS的要求。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE65NF099
- 商品编号
- C48985817
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.607692克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 346W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 96pF |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可提供超低的 RDS(on) 和低栅极电荷，并配备快速恢复体二极管。这款超结 MOSFET 符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC 电源转换、工业电源应用、快速充电器、新能源汽车充电桩、车载充电机（OBC）等领域的 AC-DC 开关电源（SMPS）要求。
商品特性
-高压器件新技术-超低导通电阻和超低传导损耗-超低栅极电荷,降低驱动要求-二极管反向恢复速度极快-高可靠性-符合 RoHS 标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-车载充电机(OBC)