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NCE65N180
N沟道 650V 20A
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- 描述
- 该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。此超结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关模式电源（SMPS）要求。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE65N180
- 商品编号
- C48985815
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.387333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 194W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
商品特性
- 优化的体二极管反向恢复性能
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷，降低驱动要求
- 100%雪崩测试
- 符合ROHS标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
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