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1EDI3035ASXUMA1实物图
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1EDI3035ASXUMA1

单通道隔离式SiC-MOSFET驱动器

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描述
是高电压电流隔离式SiC-MOSFET驱动器,专为高电压汽车应用而设计。该器件基于无芯变压器(CT)技术,可在低电压和高电压域之间提供8kV的电流隔离。该IC支持高达1200V的SiC-MOSFET,非常适合驱动IGBT + SiC HybridPACK Drive G2 Fusion模块。该器件具有强大的输出级,峰值电流高达20A,是高功率开关所必需的。分离输出级(TON、TOFF)由于采用独立的栅极电阻,可实现不同的导通和关断转换速率。低电压域(初级侧)支持5V和3.3V的逻辑电平
商品型号
1EDI3035ASXUMA1
商品编号
C48982452
商品封装
DSO-20​
包装方式
编带
商品毛重
0.8777克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥
隔离电压(Vrms)5700V
负载类型MOSFET
通道数1
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)20A
灌电流(IOL)20A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
上升时间(tr)55ns
属性参数值
下降时间(tf)45ns
传播延迟 tpLH60ns
传播延迟 tpHL60ns
输入高电平(VIH)2V~5.5V
输入低电平(VIL)0V~0.8V
静态电流(Iq)5mA
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压13.5V~20V
功能特性死区时间控制;米勒钳位保护;饱和故障检测

数据手册PDF