温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HB10N200S
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB10N200S
- 商品编号
- C48971732
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道：VDS = 60 V，ID = 40 A，VGS = 10 V时RDS(ON) < 15 mΩ（典型值：12 mΩ）
- P沟道：VDS = -60 V，ID = -40 A，VGS = -10 V时RDS(ON) < 25 mΩ（典型值：21 mΩ）
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。
- 湿度敏感度等级为3级（MSL3）