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HD504P140S
P沟道 30V 30A
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- 描述
- 特性：VDS = -40 V。 ID = -30 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 14 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 20 mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD504P140S
- 商品编号
- C48971734
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 73.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V
- 漏极电流（ID） = -30 A
- 栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 14 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 20 mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低栅极电阻
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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