温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HB03N060S
1个N沟道 耐压:30V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HB03N060S
- 商品编号
- C48971737
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 70 A
- RDS(on)@VGS = 10 V < 6 m Ω -RDS(ON)@ VGS = 4.5 V < 9 m Ω
- 经过雪崩能量测试
- 快速开关速度
- 改进的dv/dt能力,高耐用性
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理