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HT304P880S
1个P沟道 耐压:40V 电流:3A
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HT304P880S
- 商品编号
- C48971735
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V；75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
FDA20N50F采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -40 V
- 漏极电流(ID) = -3A
- 栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 85 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 100 mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低栅极电阻
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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