GS66502BMRXUSA1

底部散热650V增强型GaN晶体管，超低FOM裸片，低电感封装，开关频率高

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: GS66502BMRXUSA1
商品编号: C48939561
商品封装: SMD
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

GS66502B是一款增强型氮化镓（GaN）硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高电压击穿和高开关频率。氮化镓系统公司通过行业领先的创新技术，如获得专利的岛式技术（Island Technology®）和GaNPX®封装技术，进行产品创新。岛式技术的单元布局实现了高电流芯片和高良品率。GaNPX®封装在小尺寸封装中实现了低电感和低热阻。GS66502B是一款底部散热晶体管，为高功率应用提供了极低的结到外壳热阻。这些特性相结合，实现了高效的功率开关。

商品特性

650V增强型功率晶体管
底部散热配置
RDS(on)=200mΩ
IDS(max)=7.5A
超低品质因数（FOM）芯片
低电感GaNPX®封装
简单的栅极驱动要求（0V至6V）
瞬态耐受栅极驱动（-20V / +10V）
非常高的开关频率（>10MHz）
快速且可控的上升和下降时间
反向电流能力
零反向恢复损耗
5.0×6.6mm²的小PCB占位面积
符合RoHS3（6 + 4）标准

应用领域

交流-直流转换器
直流-直流转换器
不间断电源
工业电机驱动器
家电电机驱动器
快速电池充电
D类音频放大器
电源适配器
无线电力传输

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	7.5A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1.7V

	属性	参数值
	数量	1个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	1.6nC
	输入电容(Ciss)	60pF
	反向传输电容(Crss)	0.5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	17pF
	导通电阻(RDS(on))	200mΩ