GS0650302LMRXUSA1

GS-065-030-2-L 是一款增强型氮化镓硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高电压击穿和高开关频率。氮化镓系统公司通过行业领先的创新技术，如获得专利的岛式技术单元布局，实现了高电流芯片和高良率。GS-065-030-2-L 是一款底部散热晶体管，为高功率应用提供了低结壳热阻。这些特性共同实现了高效的功率开关。

• 650 V 增强型功率晶体管
• 850 V 瞬态漏源电压
• 底部散热，8×8 mm PDFN 封装
• RDS(on) = 50 mΩ
• IDS,max = 30 A / IDSmax,Pulse = 60 A
• 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V）
• 瞬态耐受栅极驱动（-20 V / +10 V）
• 高开关频率（> 1 MHz）
• 快速且可控的上升和下降时间
• 反向导通能力
• 零反向恢复损耗
• 用于优化栅极驱动的源极感应（SS）引脚
• 符合 RoHS 3（6+4）标准

• 无桥图腾柱 PFC
• 消费、工业和数据中心高密度电源
• 高功率适配器
• LED 照明驱动器
• 家电和工业电机驱动器
• 太阳能逆变器
• 不间断电源
• 激光驱动器
• 无线电力传输