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IPDQ65R080CFD7A
650V CoolMOSTM CFD7A超结功率器件
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- 描述
- 650V CoolMOS CFD7A集成了快速体二极管，可用于PFC以及诸如ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ65R080CFD7A
- 商品编号
- C48922638
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 223W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.513nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 集成了快速体二极管,可用于功率因数校正(PFC)和诸如零电压开关(ZVS)移相全桥和 LLC 等谐振开关拓扑。
商品特性
- 市场上采用集成快速体二极管的最新 650V 汽车级技术,具备超低反向恢复电荷(Qrr)
- 拥有最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
- 经过 100% 雪崩测试
- 在表面贴装(SMD)和通孔(THD)封装中具备同类最佳的导通电阻 RDS(on)
应用领域
- 单向和双向 DC - DC 转换器
- 车载电池充电器