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BNT15N10
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VBR(DSS) = 100V。ID = 15A。RDS(ON)@10V, TMP = 88mΩ。沟槽技术功率MOSFET。低RDS(ON)。低栅极电荷。应用：功率开关应用。MB/VGA Vcore
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNT15N10
- 商品编号
- C48533911
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46312克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电（ESD）防护达2KV人体模型（HBM）
- 栅源电压（VGS）为10V、漏极电流（ID）为500mA时，导通电阻（RDS(ON)）< 2.8Ω
- 栅源电压（VGS）为4.5V、漏极电流（ID）为200mA时，导通电阻（RDS(ON)）< 3.6Ω
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器驱动器：继电器、显示器、存储器