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BNT15N10
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VBR(DSS) = 100V。ID = 15A。RDS(ON)@10V, TMP = 88mΩ。沟槽技术功率MOSFET。低RDS(ON)。低栅极电荷。应用：功率开关应用。MB/VGA Vcore
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNT15N10
- 商品编号
- C48533911
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46312克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 漏源击穿电压(VBR(DSS)) = 100V
- 漏极电流(ID) = 15 A
- 栅源电压为10V时,导通电阻(RDS(ON))典型值 = 88mΩ
- 沟槽技术功率MOSFET
- 低导通电阻(RDS(ON))
- 低栅极电荷
- 低栅极电阻
应用领域
- 功率开关应用
- 移动处理器/显卡核心电压
- 开关电源二次侧同步整流
- 照明