BNST02N10
N沟道MOSFET
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- 描述
- 先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计,实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNST02N10
- 商品编号
- C48533912
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 326pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
优惠活动
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