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BNST02N10
N沟道MOSFET
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- 描述
- 先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNST02N10
- 商品编号
- C48533912
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 326pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 采用SOT - 23表面贴装封装。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V
- 漏极电流(ID) = 2A
- 栅源电压(VGS) = 10V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 230mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5V时的导通电阻(RDS(ON)),典型值 = 240mΩ
应用领域
- 服务器电源和电信电源
- 电动汽车充电、太阳能逆变器和UPS应用
- 升压PFC开关、半桥或不对称半桥
- 串联谐振半桥和全桥拓扑