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SI2300
N沟道MOSFET
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- 描述
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻。可靠耐用。采用SOT-23表面贴装封装
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- SI2300
- 商品编号
- C48533913
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0352克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 可靠性高且坚固耐用
- 采用SOT-23表面贴装封装
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V
- 漏极电流ID = 3.6 A
- 栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON)典型值为30 mΩ
- 栅源电压VGS = 2.5 V时,导通电阻RDS(ON)典型值为35 mΩ
应用领域
- 直流-直流转换-电源开关-PD充电器-电机驱动器
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